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이재용 삼성전자 부회장, 미중 반도체 분쟁 속 낸드 '초격차' 가속

곽호룡 기자

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기사입력 : 2020-05-18 15:00 최종수정 : 2020-05-19 12:08

이재용 삼성전자 부회장(오른쪽)이 중국 시안공장을 점검하고 있다. 사진=삼성전자.

[한국금융신문 곽호룡 기자]
이재용닫기이재용기사 모아보기 삼성전자 부회장이 지난 2월 코로나19 사태 이후 첫 해외출장지로 중국을 낙점했다.

18일 이 부회장은 낸드플래시 메모리반도체를 생산하는 중국 시안공장을 찾았다. 앞서 3월 삼성전자는 2017년부터 약 150억달러를 투입한 시안 2공장 출하 기념행사를 진행하는 등 투자 마무리 단계에 진입한 것으로 파악된다.

이 부회장의 이번 행보는 신제품 본격출하를 앞두고 현지 상황을 점검하려는 의도로 풀이된다. 특히 최근 격화조짐을 보이고 있는 미국과 중국간 무역전쟁과 관련해 반도체 업계 동향도 보고 받았을 것으로 예상된다.

지난 15일 미국은 자국 기술·장비를 사용한 반도체를 중국 화웨이에 공급할 수 없도록 하는 추가 제재안을 발표했다. 중국 정부도 '반도체 굴기'를 가속화해 맞설 것으로 전망된다.

실제 중국 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 삼성전자가 1위 자리를 지키고 있는 낸드플래시 시장에서 성과를 내고 있다.

YMTC는 지난해말 64단(5세대) 낸드플래시 양산에 돌입한데 이어, 지난달 128단(6세대) 낸드플래시 개발을 완료했다고 발표했다. 이는 삼성전자가 지난해 8월 업계 최초로 양산에 돌입한 제품이다.

이 부회장이 반도체 부문 경영진들에게 "시간이 없다"고 강조한 것도 후발업체의 추격을 염두해 둔 발언으로 풀이된다.

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이에 삼성전자는 낸드플래시 사업에서 '초격차' 전략을 지속해서 펼치고 있다.

시장조사기관 트렌드포스에 따르면 삼성전자는 2021년초 128단 낸드에 CoP(셀 온 페리) 기술을 적용한 128단 낸드를 내놓을 예정이다. 이어 셀 적층수를 획기적으로 늘린 7세대 낸드 개발에도 매진하고 있다.

낸드플래시는 데이터 저장단위인 셀을 얼마나 좁은 공간에 높게 쌓아올리느냐에 따라 성능이 결정된다. CoP는 기존 셀 옆에 붙어있던 주변회로 위에 셀을 쌓아올려 공간 효율성을 향상시키는 기술이다. 7세대 낸드는 160단 이상 초고적층 기술이 구현될 것으로 예상된다.

곽호룡 기자 horr@fntimes.com

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