삼성전자, 평택 2공장 낸드플래시 생산라인 증설 투자

[한국금융신문 곽호룡 기자] 이재용닫기이재용기사 모아보기 삼성전자 부회장이 이끄는 삼성전자가 국내 낸드플래시 메모리반도체 증설 투자 계획을 공식화했다. 낸드 1위 기업으로서 후발업체의 추격 우려를 불식시키기 위한 행보로 풀이된다.

삼성전자는 평택 2공장 낸드플래시 생산라인 증설 투자를 단행한다고 1일 발표했다.

이번 투자로 삼성전자는 "최첨단 V낸드"를 2021년 하반기부터 생산하기로 했다.
투자목적은 "AI·IoT 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드 수요에 대응해 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위해서"라고 밝혔다.

이외 투자 규모 등 구체적인 내용은 공개하지 않았다.

이번 투자는 2018년 이 부회장이 발표한 "2021년까지 3년간 180조원 신규투자하고 4만명을 고용하겠다"는 계획의 일환이다.

삼성전자가 이번 투자 상황을 공유한 것은 지난해 제기된 회사의 투자 속도 조절론을 반박하기 위한 것으로 풀이된다. 삼성전자는 메모리반도체 업황 둔화가 시작된 2018년부터 올해까지 관련 설비 투자 규모를 전년 대비 줄여왔다.

또 후발 메모리 반도체업체들의 추격도 염두에 둔 것으로 보인다.

특히 낸드 분야에서는 중국 정부 '반도체 굴기'를 등에 업은 현지 기업 추격이 거세다. 4월 중국 반도체 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 연내 128단 낸드 양산을 시작할 것이라고 발표했다. 중국기업이 삼성전자·SK하이닉스 등 한국반도체 기업과 기술격차가 1년 수준으로 빠르게 좁혔다는 평가를 듣는다.

지난달 이 부회장이 지난달 중국 낸드 증설 현장을 찾은 것도 후발주자 추격을 대비한 행보로 해석된다. 이 부회장은 반도체 부문 경영진들에게 "시간이 없다"고 강조했다.

삼성전자는 중국 반도체기업에 대해 "매우 중요한 변곡점"이라면서도 "단순 양산시기 보다는 고품질 제품이 중요하다, 지속적인 기술 우위에 초점을 두고 있다"고 밝혔다.

곽호룡 기자 horr@fntimes.com