지난 18일 자정 쯤 중국 시안 남쪽 330kV급 변전소에서 발생한 변전소 폭발사고는 삼성전자 시안 반도체 공장도 일부 영향을 받은 것으로 파악됐다.
황준호 미래에셋대우 연구원은 “사고가 발생한 변전소가 시안 공장에 직접 전기를 공급하는 건 아니지만 지역 전력망에 인접해 일시적 전압 강하가 발생했다”며 “반도체 설비가 일시적인 전압 강하에도 매우 민감하기 때문에 일부 장비 가동을 중단하고 점검에 들어간 것”이라고 진단했다.
황 연구원은 “장비 점검은 3일에서 4일 정도 소요되며 피해규모는 12” 웨이퍼 기준으로 수천장 수준으로 최악의 경우로 웨이퍼 폐기로 가정해도 손실규모는 100억원에서 200억원 규모로 미미할 것”이라며 “시안에서 나오는 3D NAND는 삼성전자가 전 세계 유일하게 양산하는 제품으로 경쟁사가 없고 최근 엔터프라이즈 SSD 수요 상승으로 수급이 타이트한 환경에서도 공급에 영향이 있을 경우 가격 상승 가능성이 있다”고 전망했다.
그는 이어 “최근 3D NAND 원가경쟁력 강화를 바탕으로 국내 3D NAND 증설이 탄력 받을 것”으로 판단했다.
고영훈 기자 gyh@fntimes.com