삼성전자, 7세대 낸드에 ‘더블 스택’ 도입…256단 도전

[한국금융신문=정은경 기자] 세계 낸드플래시 점유율 1위 기업인 삼성전자가 개발 중인 차세대 V낸드에 ‘더블 스택’ 기술을 도입해 256단 적층에 도전한다.

1일 삼성전자에 따르면 메모리사업부 마케팅팀 한진만 전무는 전날(30일) 열린 ‘삼성전자 투자자 포럼 2020’에서 “차세대 V낸드에 ‘더블 스택’ 기술을 적용할 예정”이라고 밝혔다.

낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체다. 기본 저장 단위인 ‘셀’을 수직으로 높이 쌓아 올리는 것이 기술의 핵심인데, 단 수를 늘릴수록 저장공간이 늘어난다.
삼성전자의 6세대 V낸드는 ‘싱글 스택’ 기술로 128단을 적층한다. ‘더블 스택’ 기술을 적용할 경우 단순 계산으로 256단 적층까지 가능하다. 다만, ‘더블 스택’은 더 많은 공정이 필요해 단가가 올라간다는 단점이 있다.

한 전무는 “실제 적층 단수는 소비자 수요와 시장 상황 등을 고려해 내부 전략에 따라 달라질 것”이라며 “얼마나 쌓을 수 있냐가 아니라 현시점에서 시장에 최적화된 단수가 무엇이냐의 문제”라고 설명했다.

삼성전자는 기존 128단 적층의 6세대 V낸드를 넘어서는 7세대 V낸드를 개발하고 있다. 이는 내년 중으로 양산될 예정이다.

한 전무는 “낸드플래시 수요는 스마트폰 5G 전환과 서버 SSD 수요로 2024년까지 약 30~35% 규모의 연평균성장률을 보이고, D램은 모바일과 서버를 중심으로 15~20%의 연평균성장률을 나타낼 것”으로 전망했다.

이어 그는 “신종 코로나바이러스 감염증(코로나19)은 고통스러운 경험이었지만, 디지털 전환을 가속해 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체의 수요를 높였다”며 “삼성의 차별화된 극자외선(EUV) 시스템을 기반으로 첨단공정을 선도하며 시장의 높은 수요에 부응할 것”이라고 밝혔다.
정은경 기자 ek7869@fntimes.com