
삼성전자와 한국IBM, 글로벌 파운드리가 공동 개발한 5나노 트랜지스터. 사진=한국IBM
5일 한국IBM은 삼성전자, 글로벌파운드리와 함께 업계 최초로 5나노미터 반도체 칩 제조가 가능한 실리콘 나노시트 트랜지스터 생산 공정 개발에 성공했다고 밝혔다. 한국IBM은 “연구에 사용된 실리콘 나노시트 트랜지스터로 더 강력한 성능의 5나노 반도체 칩을 머지 않은 미래에 생산할 수 있다는 사실이 입증됐다”며 “현재 시장에서 사용되고 있는 최신 10나노 칩과 비교했을 때 나노시트 기반의 5나노 기술을 사용하면 동일한 전력 소모 시 성능 40%가 향상되고, 전력 소모량이 75% 감소한다”고 말했다.
삼성전자는 이번 기술 확보로 4나노 공정 기술 상용화에 한 걸음 다가선 모습이다. 5나노 테스트 칩 구축을 통해 상용화를 앞당길 수 있기 때문이다.
삼성전자 반도체 부문 관계자는 “글로벌 반도체 시장에서 상용화된 최저 미세공정은 ‘10나노’지만, 5나노 공정이라는 새로운 기술을 선보이게 됐다”며 “아직 양산은 멀었지만, 테스트 칩을 만들 수 있어 상용화에 한 걸음 다가설 수 있게 됐다”고 말했다.
이어 “삼성전자는 5나노 반도체까지 ‘핀펫(반도체 소자를 3차원 구조로 만든 기술)’ 공정을 사용할 것”이라며 “4나노는 새로운 공정 기술을 통해 개발할 것”이라고 덧붙였다.
한국IBM 관계자도 “삼성전자와 함께 2015년 7나노 반도체 공정 기술을 개발한바 있다”며 “추후 지속적인 투자를 통해 반도체 신기술을 연구할 것”이라고 언급했다.
서효문 기자 shm@fntimes.com