삼성전자, 미국 실리콘밸리서 차세대 메모리 솔루션 공개

[한국금융신문 김형일 기자] 삼성전자가 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최하고 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다.

이번 행사는 '메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)'라는 주제로 글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여명이 참석한 가운데 열렸으며 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장, 짐 엘리엇(Jim Elliott) 미주총괄 부사장 등 업계 주요 인사들이 반도체 시장의 트렌드와 주요 제품을 소개했다.

삼성전자는 이날 클라우드(Cloud), 에지 디바이스(Edge Devices), 차량(Automotive) 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 ▲AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)' ▲차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 'LPDDR(더블데이터레이트)5X CAMM2' ▲스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 'Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)' 등 차별화된 메모리 솔루션을 공개했다.
에지 디바이스는 데이터를 생성, 활용, 소비하는 모든 기기를 뜻한다. HBM3E는 삼성전자의 5세대 HBM D램 제품이다. CAMM은 LPDDR 패키지 기반 모듈 제품이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것"이라며 "무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 말했다. 또 “새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다”고 덧붙였다.

지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 아울러 삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.

이외에도 삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다. 더블 스택은 ‘채널 홀’ 공정을 두 번 진행해 만든 구조다.

또 삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 강조했다.채널 홀 에칭은 적층된 셀층에 미세한 원통형 구멍을 뚫어 전자가 이동할 수 있는 채널 홀을 형성하는 건식 식각(드라이 에칭) 기술이다.

김형일 기자 ktripod4@fntimes.com