삼성전자, 세계 최초 4GB HBM D램 양산…7배 향상

[한국금융신문 고영훈 기자]

삼성전자가 현존 최고 속도의 D램보다 7배 이상 빠른 4기가바이트(GB) HBM2 D램을 본격 양산한다.

삼성전자는 작년 10월 '128기가바이트 DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈'을 양산하며 초고속 메모리 시장을 크게 확대한 지 2개월 만에 '2세대 HBM D램' 양산에 성공했다고 19일 전했다.
이번 4기가바이트 HBM D램은 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) HBM2 D램 4개로 이루어져 있으며 1개의 버퍼칩 위에 4개의 코어칩을 적층하고 각 칩을 TSV 접합볼(Bump, 범프)로 연결한 구조다.

4기가바이트 HBM2 D램은 초당 256기가바이트의 데이터를 전송한다.

현재 개발된 D램 중 가장 빠른 4기가비트 GDDR5(9Gbps)보다 7배 이상 많은 데이터를 처리하며, 와트당 데이터 전송량을 2배 높여 전력소모도 크게 줄였다.

삼성전자는 금년 상반기에 용량을 2배 올린 ‘8기가바이트 HBM2 D램’도 양산할 계획이며, 차세대 초고해상도 그래픽카드에 최적의 솔루션을 제공할 것으로 기대된다고 전했다.

삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전세원 전무는 “차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 IT기업들이 초고성능 차세대 컴퓨팅 시스템을 적기에 도입하는데 크게 기여하게 되었다”며, “향후에도 3차원 메모리 기술을 기반으로 글로벌 IT시장 변화에 한발 앞서 대응하고 새로운 성장 기반을 지속 확보해 나갈 것”이라고 강조했다.

향후 삼성전자는 차세대 HBM 라인업을 더욱 확대해 초고속 컴퓨팅용 HBM시장을 선점하고, 글로벌IT고객들의 수요 증가세에 맞춰 HBM D램의 생산비중을 늘려 나가겠다는 전략이다.



고영훈 기자 gyh@fntimes.com