SK하이닉스 "HBM·DDR5 투자 확대…수요 확인"

[한국금융신문 김형일 기자] SK하이닉스(대표이사 박정호‧곽노정)가 더블데이터레이트(DDR)5, 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 제품 판매를 확대하고 기술 개발을 위해 내년 설비투자(CAPEX)를 올해보다 늘리겠다고 밝혔다.

26일 SK하이닉스는 2023년 3분기 경영실적을 통해 D램 흑자 전환을 기반으로 매출 9조662억원, 영업손실 1조7920억원, 순손실 2조1847억원(순손실률 24%)을 기록했다고 발표하며 이같이 밝혔다. SK하이닉스는 올 2분기 매출 7조3059억원, 영업손실 2조8821억원을 기록했다. 이를 고려하면 올 3분기 매출은 24% 성장하고 영업적자는 37.8% 축소된 셈이다.

SK하이닉스는 “현시점으로 내년도 HBM3와 HBM3E 생산능력이 모두 매진(Sold out)됐고 고객 추가 문의도 들어오고 있는 상황”이라며 “고객과 시장 관계자에 따르면 당사의 HBM3 캐파 점유율이 압도적으로 높다”고 말했다. 또 “내년을 포함해 중기적으로도 다양한 AI 플레이어들과 잠재고객, 프라이머 벤더(핵심 공급사) 등과 비즈니스 영역 확대를 논의하고 있고 고객들도 당사의 제품력과 대규모 양산 경험을 크게 신뢰하고 있다"고 했다.
이어 "HBM2에서 HBM3, HBM3에서 HBM3E, 그다음 HBM4으로 제품 전환 속도가 매우 빠르게 일어나고 있다”며 “HBM 시장은 계속 빠르게 증가 추세로 가고 있고 HBM 수요의 확장 가능성이 계속 새롭게 확인되고 있다”고 분석했다. 아울러 “앞에 언급한(60~80%) 수준 혹은 그 이상으로 성장할 수도 있다”고 내다봤다.

이에 SK하이닉스는 내년 생산시설 투자를 올해 보다 늘리면서 특히 수요 성장을 주도할 HBM3E, DDR5, LPDDR5와 같은 고부가 제품 생산 확대에 힘쓰겠다는 방침을 세웠다.

SK하이닉스는 “내년 CAPEX는 올해보다 증가할 것”이라며 “투자 효율성을 고려해 증가분을 최소화하겠다”고 말했다. 이어 “올해 제한된 투자 범위 내에서 제품 우선순위에 따라 생산능력을 조정해 집행하고 있다”며 “내년에도 생산능력 증설보다는 공정 전환에 집중해 투자 효율성을 높이겠다”고 말했다.

SK하이닉스는 낸드의 경우 보수적인 생산 기조를 이어가겠다고 밝혔다. SK하이닉스는 이같이 설명하며 “업계 전체적으로 감산 전인 지난해 4분기 생산능력까지 도달하기까지 상당한 시간이 걸릴 것”이라며 “낸드는 재고 수준이 높은 상황”이라고 했다.

한편, SK하이닉스는 일본 키옥시아와 미국 웨스턴디지털(WD)의 합병에 대한 입장도 밝혔다. SK하이닉스는 “동의하지 않고 있다”며 “구체적인 사유는 비밀 유지 계약으로 언급할 수 없다”고 말했다. SK하이닉스는 키옥시아의 주요 주주로 2017년 키옥시아의 전신인 도시바 메모리 사업부가 매각될 때 미 사모펀드 베인캐피탈이 주도한 한‧미‧일 컨소시엄에 4조원을 투자했다. 당시 한‧미‧일 컨소시엄은 지분 49.9%를 가져갔다.

김형일 기자 ktripod4@fntimes.com