40兆 투자한 삼성전자, 올해도 공격적 투자로 반도체 '초격차' 지속

[한국금융신문=정은경 기자] 삼성전자(부회장 김기남닫기김기남기사 모아보기)가 반도체 초격차를 이어가기 위해 새해부터 대규모 투자에 나선다. 글로벌 1위인 메모리에 이어 2030년 시스템반도체 1위 목표 달성을 위해 속도를 내겠다는 것이다.

3일 업계에 따르면, 지난 2020년 4월 착공한 삼성전자 평택 3라인(P3)의 건물 골조 공사를 거의 마쳤다. 당초 P3라인의 완공 예정일은 2023년으로 알려졌지만, 지난해 삼성전자는 완공 시기는 2022년 하반기라고 밝혔다. 업계에서는 장비 반입과 시운전 등을 고려하면 가동 시기는 2023년이 될 것으로 보고 있다.

P3라인은 클린룸(먼지·세균이 없는 생산시설) 규모만 축구장 면적이 25개 크기로, 세계 최대 단일규모 반도체 생산라인이다. 삼성전자는 P3 설립에만 50조원 가량을 투자했다. 이곳에서는 극자외선(EUV) 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품이 양산될 예정이다.
이 외에도 삼성전자는 올해 평택캠퍼스의 P4라인 착공, 미국 제2파운드리 공장인 테일러시 공장 착공 등이 예정되어 있다.

최근에는 P4라인 건설을 위한 부지 정지 작업 등 준비작업에도 착수한 것으로 전해진다. 올해 본격적으로 공사가 시작되면 2024년 완공될 것으로 전망된다.

지난해 투자가 확정된 미국 텍사스주 테일러시의 20조원 규모 파운드리(반도체 위탁생산) 공장은 올 상반기 착공한다. 가동 시기는 오는 2024년으로 전망된다.

테일러시 신규 라인에는 최근 수요가 높아진 5G, HPC, AI(인공지능) 등 다양한 분야의 첨단 시스템 반도체가 생산될 예정이다.

외신에 따르면, 삼성전자는 공장 건설을 위한 인프라 작업을 진행할 예정이다. 윌리엄슨 카운티는 최근 삼성전자 테일러 공장 부지의 접근성을 높이기 위해 약 4km 길이의 도로 확장 공사를 진행할 계획이라고 발표했다.
테일러 부지 남쪽 윌리엄슨 카운티 내에 기존 2차선 도로를 4차선으로 확장하는 것을 포함해 도로 직선화, 도로 신설 공사를 할 계획이다. 이 공사에는 총 2200만달러(약 262억원)가 투입되며, 삼성전자가 일부 비용을 지원한다.

업계에서는 삼성전자가 지난해에 이어 올해도 공격적인 시설 투자를 이어갈 것으로 전망하고 있다. 국내 증권가에서는 삼성전자의 지난해 시설투자 규모가 약 40조원에 이를 것으로 추산했다. 삼성전자는 지난해 3분기까지 시설 투자에 33조5000억원을 투자했다.



정은경 기자 ek7869@fntimes.com