삼성전자 “8세대 V낸드 기술 확보…미래 1000단 시대 주도할 것”

[한국금융신문=정은경 기자] “미세한 기술력의 우위가 결국 고객에게 차별화된 가치를 제공하고, 시장은 이를 통해 역시 삼성전자임을 인정할 것으로 믿고 있다.”

글로벌 메모리 반도체 1위 기업인 삼성전자가 200단 이상을 적층한 낸드플래시 기술을 확보했다고 공식화했다. 삼성전자는 진화를 거듭하며 미래 1000단 V낸드 시대에도 기술력을 주도하겠다는 자신감을 내비쳤다.

송재혁 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)은 8일 뉴스룸에 게재한 ‘차세대 낸드플래시가 바꿀 미래’ 기고문을 통해 “삼성전자는 이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보했다”고 말했다. 이어 송 부사장은 “시장 상황과 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다”고 말했다.
낸드플래시는 2010년 이전까지만 하더라도 손톱보다 작은 크기의 칩을 평면상으로 더욱 작게 만드는 것이 중요한 기술적 척도였다. 그러나 공정 미세화에 따라 칩이 작아지더라도 평면 크기 제한 때문에 더 많은 데이터와 용량을 담아내기엔 역부족이란 평가가 많았다.

삼성전자는 지난 2013년 수직으로 쌓아 올린 3차원 공간에 구멍을 내 각 층을 연결하는 ‘V낸드’를 세계 최초로 개발했다. 평지에 집을 짓고 살던 사람들이 인구 증가에 따라 아파트를 짓고 살게 된 것과 같은 이치다. 당시 V낸드는 당연하게 여겨지던 전통적인 2차원 방식에서 완전히 벗어난 새로운 패러다임이라는 평가를 받았다.

송 부사장은 “2013년 당시 혁신적이었던 3D 수직 구조의 V낸드는 이제 반도체 업계의 표준처럼 보편화된 기술이 됐다”며 “그간 V낸드는 단수를 높여가며 진화해왔고, 24단부터 시작된 V낸드의 단수는 현재 200단에 근접해 있다”고 말했다. 최근 마이크론이 공식화한 176단 적층 기술을 넘어선 것이다.

특히 송 부사장은 “V낸드도 층수는 비슷하지만 안을 자세히 들여다보면 미세한 차이들이 있다”며 “반도체 세계에서는 미세한 차이가 어마어마한 결과를 낳는다”고 강조했다. 그러면서 층수만 높은 고층 아파트라고 무조건 명품 아파트라고 될 수 없다고 비유했다.

삼성전자에 따르면, 삼성전자의 7세대 176단 V낸드는 업계의 100단 초반대 6세대급 V낸드와 높이가 비슷하다. 더 많은 단수를 적층했음에도, 업계 최소 크기의 셀을 개방해 평면적과 높이를 모두 최대 35% 가량 줄이면서 높이가 같아진 것이다.
또 삼성전자는 업계에서 유일하게 한 번에 100단 이상을 쌓고 10억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 싱글스택 에칭 기술력을 갖췄다. 작은 셀 크기와 싱글스택 에칭 기술력으로 향후 수백단 이상의 V낸드를 선도적으로 구현할 수 있는 기술력을 확보하고 있다는 말이다.

아울러 삼성전자는 올 하반기 업계 최소 셀 사이즈의 7세대 V낸드가 적용된 소비자용 SSD를 출시할 계획이다. 또한 데이터센터용 SSD에도 7세대 V낸드를 확대 적용할 예정이다.

송 부사장은 “반도체 산업에서 우연은 없다”며 “미지의 기술을 세계 최초로 얻어내기 위해서는 시간은 물론 엄청난 자본과 투자가 필요하다”고 강조했다.

이어 “평면의 한계를 극복하기 위해 10년 이상의 오랜 연구 끝에 2013년 첫 V낸드를 선보였듯이 우리는 3차원 스케일링 기술을 통해 언젠가 마주하게 될 높이의 한계를 가장 먼저 극복할 것”이라며 “미래 1000단 V낸드 시대에도 삼성전자는 혁신적 기술력을 기반으로 업계 최고의 신뢰성을 갖는 제품으로 계속 진화해 나갈 것”이라고 강조했다.
마지막으로 송 부사장은 “미래 반도체 경쟁에서 확실한 기술 우위를 바탕으로 혁신적 제품을 선보여 행복한 사회를 구현하기 위해 부단히 노력하겠다”고 덧붙였다.

정은경 기자 ek7869@fntimes.com