삼성전자, 50나노 시대 개막

삼성전자는 최근 50나노 공정을 적용한 16기가 낸드플래시 양산 샘플 공급에 나섰다고 밝혔다. 새롭게 공급하게 될 50나노 공정의 16기가 낸드플래시 메모리는 삼성전자가 지난 2005년 첫 선을 보인 제품으로, 삼성전자의 장기적 비전인 ‘플래시 러시(Flash Rush) 현상’을 가시화 한 첫 제품이라는 상징성을 지녔다. ‘플래시 러시(Flash Rush)는 가까운 미래에 플래시 메모리가 모든 휴대기기의 저장 매체를 대체하게 될 것이라는 삼성전자의 중장기적 비전이다.

성능면에서는 기존의 낸드 제품이 2KB 단위로 구동한 데 반해, 새롭게 선보인 50나노 16기가 제품은 4KB 단위로 작동하는 특징을 지녔고, 이로서 기존 MLC (Multi Level Cell) 제품 에 비해 2배의 쓰기 속도와 1.5배의 읽기 속도를 제공할 수 있게 됐다.

무엇보다 내년 2월 출시를 앞두고 있는 차세대 운영체제인 윈도 비스타가 기가급 메모리 용량을 요구하고 있으며, 이로 인한 최대 수요자가 메모리 시장인 만큼, 삼성전자의 한발 앞선 50나노 공정 메모리 출시는 시장에서의 결정적인 경쟁력으로 부각될 전망이다.


김남규 기자 ngkim@fntimes.com