디램 시장 침투하는 고대역폭메모리…“삼성전자·SK하이닉스 수혜”

[한국금융신문 한아란 기자] 실리콘관통전극(TSV) 공정 기술을 이용한 고대역폭메모리(HBM) 제품이 디램(DRAM) 시장에 본격 침투될 것이라는 분석이 나왔다. 이에 삼성전자와 SK하이닉스 등 디램 업체들이 HBM 제품 확대에 주력하면서 인공지능(AI) 시장의 수혜주로 떠오를 것이라는 전망이 뒤따른다.

글로벌 정보기술(IT) 업체들은 4차 산업혁명의 주도권 경쟁을 위해 AI 반도체 개발에 심혈을 기울이고 있다. 기존 반도체 제조 업체들뿐만 아니라 IT 서비스 업체들까지 직접 반도체를 개발에 나서고 있는 상황이다. 시장 조사 기관들은 2021년 전 세계 AI 반도체 시장 규모를 100억 달러에서 300억 달러로 전망하고 있다.

4일 신한금융투자는 올해 서버 디램 수요 증가율은 약 40%로 전체 디램 수요 증가율 23%를 크게 상회할 것으로 추정했다. 내년에는 약 35%를 기록할 것으로 예상했다. 여기에 앞으로 디램 업체들이 AI 시장 성장의 직접적인 수혜를 받을 것이라는 관측도 나온다.
최도연 연구원은 “향후 디램 업체들은 TSV 기술을 이용한 HBM 제품 확대에 주력할 것”이라며 “HBM 적용 확대로 디램 업체들이 AI 시장확대의 직접 수혜업체로 변모하게 된다”고 점쳤다. TSV는 반도체 칩 적층 시 칩들을 수직 관통하는 비아 홀(Via Hole)을 형성해 칩 간의 전기적 신호를 전달하는 패키지 방식이다.

구체적인 긍정적 효과로는 △AI 시장 성장에 대한 직접 수혜 △ TSV 후공정에 대한 설비투자(CAPEX) 분산으로 사이클 성향 탈피 △중국 상품 시장 진입에 대한 선제적 방어 등을 꼽았다.

최 연구원은 “HBM은 그래픽처리장치(GPU) 등 AI 비메모리 반도체와 직접 연결되어 사용되며 AI 연산 성능 개선에 크게 기여할 수 있다”며 “당분간 기존 디램 대비 최소 50% 이상의 가격 프리미엄이 확보될 전망”이라고 말했다.

특히 삼성전자와 SK하이닉스가 고성능 컴퓨팅 수요 증가에 탄력적으로 대응하기 위해 HBM 관련 TSV 캐파 증설을 공격적으로 단행할 것이라고 내다봤다.

최 연구원은 “디램 영업이익률이 60% 이상에서 가격이 지속 상승하는 구간에서는 전공정이 완료된 웨이퍼를 원가로 적용하는 TSV 공정 기술 도입에 생산업체들이 부담감을 크게 느낄 수 밖에 없다”면서 “그러나 디램 가격이 완만하게 하락하는 구간에서는 TSV 또는 HBM이 부가가치를 제공하며 가격 프리미엄을 챙길 수 있어 매력적인 선택이 될 수 있다”고 설명했다.
이어 그는 “TSV 현재 장비 캐파는 삼성전자 약 20K/월, SK하이닉스 15K/월 수준인 것으로 파악된다”며 “내년 말 기준 HBM(또는 3DS)용 TSV 캐파를 삼성전자는 50K/월, SK하이닉스는 75K/월 수준까지 각각 확대할 것으로 보인다”고 말했다. 이는 내년 말 삼성전자, SK하이닉스의 예상 디램 캐파의 10%, 20% 수준이다.

한아란 기자 aran@fntimes.com