[자료] 삼성전자 NAND 격차 벌이기 좋은 시점 - 대신證

[한국금융신문 장태민 기자] ■ 삼성전자의 NAND 설비투자 확대, 지금이 적기이다

- NAND 산업은 6개사가 점유. 자본투자금액이 크고 연구개발비용이 높아 다수의 시장참
여자가 판매가격을 경쟁하는 구도는 이상적이지 않음
- NAND 시장은 규모가 확대될 여력이 DRAM대비 충분하고, 경쟁은 심화되어 산업 통합

이 필요한 성장기 사이클 국면에 있다고 판단
- 1위 기업인 삼성전자는 2019년 말부터 진행한 NAND의 설비투자 확대를 2022년까지
공격적으로 유지할 전망. 2021년 삼성전자 NAND 설비투자 85K~100K/월 예상
- 삼성전자를 대형주 Top-Pick 유지, 목표주가 95,000원으로 상향. 중소형주에서는 삼성
전자의 NAND 사업부문을 고객사로 보유하고 있는 NAND 서플라이체인주에 주목

■ 삼성전자의 NAND 사업부문 시장점유율 하락

- 삼성전자 NAND 시장점유율 2016년 42%에서 2020년 3분기 누적기준 35%까지
하락. 동일기간 SSD 매출비중이 높은 인텔 점유율 2%에서 9%까지 확대

- 사실상 단일기업인 키옥시아(2위)+웨스턴디지털(3위) 합산 점유율은 31%로 충분
히 위협적. 삼성전자의 NAND 사업부 매출원가에서 차지하는 고정비 비중이 높아
영업레버리지 효과 극대화 가능
- 가장 성장성이 높은 PCIe 기반 엔터프라이즈 SSD 시장 점유율은 삼성전자 25%,
인텔 25% 수준. eSSD 가격 하락을 통해 HDD 시장 침투 이후 확대해나갈 전망

■ NAND 시장 내 기술격차 축소

- 3D NAND 단수 증가로 후발주자는 단위당 원가 절감하며 빠르게 격차 축소 중
- 3D NAND 기술은 1) 더블/트리플 스태킹 도입, 2) Cell Height 축소 방식로 발전 중
- 플로팅게이트를 적용한 인텔 외 5개사는 차지트랩 구조 적용. 차지트랩은 플로팅
게이트 대비 보존성(Retention) 측면에서 차지트랩 대비 열위. 그러나 칩 사이즈, 내
구성(Endurance), 확장성(Scalability) 측면에서 유리
- 삼성전자는 176단부터 더블스태킹 도입. 2022년 하반기 220단 양산 예상, 후발주
자는 200단부터 트리플 스태킹 예상. 더블스태킹에서는 중간에 더미레이어가 필요
하기 때문에 추가 공정 필요
- 삼성전자는 스택의 높이에서 경쟁사대비 15% 유리하기 때문에 원가경쟁력 보유.
단일스택 높이가 낮을수록 원가 경쟁력 우위. Cell Height를 축소하는 것도 더블스
태킹만큼 중요해질 전망
- 3D NAND 단수 증가, 더블/트리플 스태킹, Cell Height 축소의 핵심은 건식식각 공
정, CVD/ALD 공정, CMP 공정 증가로 관련 밸류체인 수혜 예상

■ 후발주자들의 재무건전성 악화로 격차 확대에 소요되는 시간과 비용 하락

- 키옥시아와 웨스턴디지털 재무건전성 악화에도 불구하고 신규 설비투자 강행. 양
사의 합산 NAND 설비투자액은 2021년 73.4억달러로 전년대비 80% 성장할 전망
- 키옥시아 2020년 IPO 시도 당시 기업가치 1.45~1.89조엔(2018년 매각당시 2.0조
엔) 신주발행액은 600~750억엔에 불과. 상장 후 추가 자금 조달 필요
- 웨스턴디지털은 HDD 사업부의 안정적인 수익률로 현금 창출 중이나, 매출 규모는
중장기 축소 중. 1년이내 만기도래 유동성 부채 53.7억달러, 현금 30.4억달러로 추
가 차입 필요. FY20(20/6) FCF 9.4억달러 기록

<정리: 이수빈 대신증권 연구원>