TSMC에 선전포고 한 삼성, 파운드리 재정비 들어간다

[한국금융신문=정은경 기자] 삼성전자(대표 한종희닫기한종희기사 모아보기, 경계현닫기경계현기사 모아보기)가 반도체 메모리사업부와 파운드리(반도체 위탁생산)사업부의 개발 총책임자를 교체하며 분위기 쇄신에 나섰다.

4일 업계에 따르면, 삼성전자는 전날(3일) DS부문은 부사장급 임원인사를 단행했다. 이번 인사에선 반도체 개발을 책임지는 개발실장이 교체된 점이 특징이다.

황상준 메모리사업부 전략마케팅실 부사장이 D램개발실장으로 임명됐다. D램 개발실 산하 선행개발팀장엔 유창식 부사장, 설계팀장엔 오태영 부사장, 전략마케팅실장은 윤하룡 부사장이 맡는다.
D램 개발실 조직도 개편했다. 개발실 산하 설계 1, 2팀을 설계팀으로 통일하고, 설계팀 산하 그룹은 설계 1, 2, 3그룹으로 세분화했다.

D램 개발실은 삼성전자의 주력 반도체인 D램의 차세대 제품을 연구·개발하는 조직이다. 회사는 최근 HBM 등 AI 시대가 도래하면서 수요가 늘고 있는 차세대 D램 제품 개발에 집중하고 있다.

파운드리사업부는 정기태 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)이 최고기술책임자(CTO)로 자리를 옮긴다. 공석이 된 기술개발실장엔 구자흠 파운드리 기술개발실 부사장을 임명했다.

삼성전자는 이번 인사에 대해 “상시적 조직개편”이라고 답했다.

삼성전자는 매년 11월 정기 임원인사를 단행한다. 그러나 지난해 7~8월 DS사업부문 내 부사장급 임원인사를 진행했고, 올해도 정기 시즌이 아닌 시점에서 부사장급 임원인사를 단행했다.
당시 삼성전자는 송재혁 플래시개발실장은 신임 반도체연구소장으로 선임했다. 또 신임 파운드리 제조기술센터장엔 남석우 DS부문 CSO 및 글로벌 제조·인프라 총괄 부사장을, 공석이 된 글로벌 제조·인프라 총괄 부사장엔 장성대 글로벌 제조·인프라 총괄 환경안전센터장(부사장)을 앉혔다.



이번 인사는 DS사업부문이 적자를 기록하는 등 위기를 겪고 있는 상황에서 삼성전자가 D램과 파운드리 기술 개발 부서에 힘을 준 것으로 해석된다.

D램의 경우 메모리 불황에 실적이 악화되고 있는 상황이다. 최근 생성형 AI 서비스가 주목받으며 수요가 커지고 있는 HBM(고대역폭메모리) 시장에선 SK하이닉스에 뒤처진다는 지적이 나온다.
시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 글로벌 HBM 시장에서 SK하이닉스의 점유율은 50%, 삼성전자는 40%, 미국 마이크론은 10%를 기록했다. 올해는 SK하이닉스 점유율이 53%로 늘어나고, 삼성전자는 38%를 기록할 것으로 전망했다.

또 고부가가치 제품인 DDR5에서도 SK하이닉스의 기술력이 더 앞선다는 평가가 나온다. SK하이닉스는 128GB DDR5 제품을 공급하고 있지만, 삼성전자는 아직 대용량 DDR5를 생산하지 못하고 있는 상황이다. 이에 현재 대용량 DDR5 시장은 SK하이닉스가 독점하고 있는 것으로 전해진다.

파운드리 사업 분야에서도 해결해야 할 과제가 많다. 글로벌 1위 기업인 대만 TSMC와의 격차가 기존보다 더 벌어진 것이다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 1분기 파운드리 시장에서 TSMC가 점유율 60.1%를 기록하며 1위를 유지했다. 삼성전자는 12.4%로 2위에 머물렀다. 두 기업의 격차는 전 분기 42.7% 포인트에서 47.7%포인트로 더 벌어졌다.

지난해 7나노(㎚) 이하 공정 수율 확보에 어려움을 겪으며 상대적으로 안정적인 수율을 확보한 TSMC 대형 고객사를 뺏긴 영향이 크다.

삼성전자는 지난해 3나노 공정에 세계 최초 GAA 기술을 도입하는 등 다양한 시도를 도전하고 있지만, 압도적인 점유율을 차지하고 있는 TSMC를 앞설만한 혁신적인 기술력은 부족하다는 지적이 나온다.
그런 삼성전자가 지난주 미국에서 열린 ‘삼성 파운드리 2023’에서 기술 로드맵을 공개했다. 당시 포럼에선 처음으로 2나노 공정 제품 생산 계획을 밝힌 점이 눈길을 끌었다. 경쟁사인 TSMC도 2025년 2나노 양산을 목표로 했지만, 구체적인 제품까진 언급하지 않았다.

당시 삼성전자는 2025년 모바일향 중심으로 2나노 공정을 양산하고, 2026년 HPC(고성능 컴퓨팅)향 공정, 2027년 차량용 제품으로 점차 확대한다는 계획을 내놨다. 1.4나노는 계획대로 2027년 양산을 목표로 한다.

삼성전자는 2나노 공정부터 TSMC를 넘어 세계 1위가 될 수 있을 것으로 보고 있다. 이미 삼성전자는 3나노에서 세계 최초 GAA 기술을 적용했지만, TSMC는 2나노부터 GAA 기술을 적용할 예정이기 때문이다.

앞서 GAA 기술을 먼저 적용한 삼성전자는 그간 쌓아온 노하우를 기반으로 고객사들에 안정적인 제품 공급이 가능하다고 판단했다. 경계현 사장이 최근 “5년 안에 TSMC를 따라잡을 것”이라며 자신감을 드러낸 것도 이와 연결된다.

아울러 삼성전자는 4일 국내서 열린 파운드리 포럼에서도 “AI 시대 패러다임을 주도해 나가겠다”고 선언했다.

이 일환으로 반도체 설계 지원키트인 PDK의 사용 편의성을 강화한 ‘PDK 프라임’ 솔루션을 올 하반기부터 2나노, 3나노 공정 팹리스 고객에 제공키로 했다. 해당 솔루션은 향후 8인치와 12인치 레거시 공정으로 확대할 계획이다.

또 팹리스 고객의 시제품 제작 기회를 늘리기 위해 한 장의 웨이퍼에 서로 다른 반도체 제품을 생산할 수 있는 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼) 서비스를 8월, 12월에 거쳐 올해 세 차례 지원할 예정이다.

이외에도 국내 시스템반도체 연구개발 생태계 강화를 위해 협력사는 물론 대학과도 연구개발 협력을 확대한다는 방침이다.

최시형 파운드리사업부 사장은 “AI 적용 분야가 빠르게 확산되고 있고, 특히 다양한 개별 서비스에 특화된 엣지의 폭발적인 성장이 예상된다”며 “고성능 AI 반도체에 특화된 최첨단 공정과 차별화된 스페셜티 공정, 그리고 글로벌 IP 파트너사와 긴밀하고 선제적인 협력을 통해 AI 시대 패러다임을 주도해 나갈 것”이라고 말했다.

정은경 기자 ek7869@fntimes.com