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반도체 적자 줄인 삼성전자 “내년 HBM 공급 2.5배↑”

김형일 기자

ktripod4@fntimes.com

기사입력 : 2023-10-31 11:36

고객사와 내년 HBM 공급 협의 완료
메모리 감산 지속…낸드 하향 폭 커

삼성전자가 고부가 가치 제품 판매 확대로 DS부문 적자를 축소한 가운데 내년 HBM 공급을 올해 대비 2.5배 늘리겠다고 밝혔다. 사진은 삼성전자 평택캠퍼스./사진제공=삼성전자

삼성전자가 고부가 가치 제품 판매 확대로 DS부문 적자를 축소한 가운데 내년 HBM 공급을 올해 대비 2.5배 늘리겠다고 밝혔다. 사진은 삼성전자 평택캠퍼스./사진제공=삼성전자

[한국금융신문 김형일 기자] 삼성전자(대표이사 한종희‧경계현)가 올해 3분기 고부가 가치 제품 판매 확대로 반도체(DS)부문 적자를 축소한 가운데 내년 고대역폭메모리(HBM) 공급을 올해 대비 2.5배 늘리겠다고 밝혔다.

31일 삼성전자는 2023년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “반도체 업황 저점에 대한 인식이 확산되며 부품 재고 확보를 위한 고객 구매 문의가 다수 접수됐다”며 “내년 HBM 공급 역량은 업계 최고 수준 유지 차원에서 올해 대비 2.5배 이상 확보할 계획”이라고 발표했다.

삼성전자는 올 3분기 HBM, 더블데이터레이트(DDR)5, 저전력더블데이터레이트(LPDDR)5 등 고부가 메모리반도체 제품 판매 확대와 일부 판가 상승으로 DS부문 영업손실이 올 2분기 4조3600억원에서 올 3분기 3조7500억원으로 6100억원 축소됐다.

삼성전자는 HBM 신제품 판매가 증가할 것으로 내다봤다. 삼성전자 관계자는 “현재 HBM3 및 HBM3E 신제품 사업을 활발히 확대하고 있다”며 “이미 해당 물량을 주요 고객사와 내년 공급 협의를 완료한 상태”라고 말했다.

이어 “HBM3는 올 3분기 이미 제품 공급을 시작했고 올 4분기에는 고객사 확대를 통해 판매가 본격화되고 있다”며 “HBM3 비중은 지속 증가해 내년 상반기 내 HBM 전체 물량 중 과반을 넘어설 것으로 본다”고 했다.

또 “다음 세대인 HBM3E는 업계 최고 성능인 9.8GB bps로 개발해 24GB 샘플 공급을 시작했고 내년 상반기 내 개시할 예정”이라며 “36GB 제품도 내년 1분기 샘플 공급을 준비 중”이라고 설명했다.

끝으로 “삼성전자 HBM3E는 검증된 1anm 공정 제품으로 생산능력(CAPA) 규모와 양산 안정성을 기반으로 주요 고객들에게 안정적으로 공급할 것으로 기대된다”며 “내년 하반기에는 HBM3E의 급격한 전환으로 인공지능(AI) 시장 요구에 적극 대응하겠다”고 덧붙였다.

여기에 삼성전자는 메모리 감산을 지속하겠다고 밝혔다.

삼성전자 관계자는 “생산량 하향 조정을 지속하고 있다”며 “이러한 탄력적 생산 운영과 수요 개선이 맞물려 당사 재고 수준은 5월 피크아웃 이후 D램, 낸드 모두 지속 감소 중이며 특히 4분기에는 개선된 수요 환경과 생산량 하양 조정폭을 감안 시 더욱 빠른 속도로 제고 수준이 감소될 것으로 전망된다”고 햇다.

아울러 “빠른 시간 내 재고 정상화를 구현하기 위해 추가적인 선별적 생산 조정 등 필요한 조치들을 지속 실행할 예정”이라며 “특히 D램 대비 낸드의 생산 하향 조정폭은 당분간 상대적으로 더 크게 운영될 것으로 예상된다”고 했다.

한편, 삼성전자는 올 3분기 매출 67조4000억원, 영업이익 2조4300억원을 기록했다고 발표했다. 전분기 대비 각각 1조7700억원, 7조3900억원 늘어난 수치다.

김형일 기자 ktripod4@fntimes.com

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