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삼성전자, 지난해 시설투자 53조원…90%가 반도체

정은경 기자

ek7869@fntimes.com

기사입력 : 2023-01-31 09:23

시설투자, 전년비 10% 오른 53조…역대 최대
전체 투자액의 90%가 반도체…미래 경쟁력 강화 및 EUV 적용 확대

삼성전자 평택2라인. 사진=삼성전자

삼성전자 평택2라인. 사진=삼성전자

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[한국금융신문=정은경 기자] 삼성전자(대표 한종희닫기한종희기사 모아보기, 경계현닫기경계현기사 모아보기)가 지난해 연간 시설투자(CAPEX)에 53조1000억원을 집행했다고 31일 밝혔다. 이는 전년(48조2000억원) 대비 약 10% 증가한 수준이며, 역대 최대 규모다.

사업별로 보면 반도체(DS)가 47조9000억원, SDC가 2조5000억원으로, 전체 시설투자의 약 90%를 반도체에 투자한 것이다.

4분기 시설투자 금액은 20조2000억원이다. DS부문이 18조8000억원, SDC가 4000억원을 집행했다.

삼성전자 측은 "메모리는 평택 3, 4기 인프라와 미래 경쟁력 강화를 위한 EUV 등 첨단 기술 적용 확대, 차세대 연구 개발 인프라 확보를 위한 투자를 중심으로 이뤄졌다"며 "파운드리는 평택 첨단 공정 생산 능력 확대와 미래 수요 대응을 위한 3나노 초기 생산 능력과 미국 테일러 공장 인프라 구축에 투자를 집중했다"고 설명했다.

또 "SDC(디스플레이)는 중소형 플렉시블 생산 능력 확대와 인프라 투자에 집중했다"고 밝혔다.

정은경 기자 ek7869@fntimes.com

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