삼성-SK ‘반도체 글로벌 초격차’ 투자 확대

[한국금융신문 김승한 기자] 지난해 반도체 슈퍼호황에 힘입어 역대 최대 실적을 기록한 삼성전자와 SK하이닉스가 설비투자 확대를 통해 글로벌 입지를 더욱 굳힐 것으로 보인다.

18일 관련업계에 따르면 올해 삼성전자와 SK하이닉스는 반도체 글로벌 수요에 대응하고 경쟁업체와의 초격차 전략을 위한 선행 조치로 설비투자를 더욱 확대한다. 규모는 지난해 보다 더욱 증가할 것으로 보이며 많게는 수 십 조원에 이를 전망이다.

◇ 평택 2공장, 신규 수요 압도 포석
삼성전자는 경기도 평택 반도체 단지에 제2생산라인을 건설한다. 지난 7일 삼성전자는 경영위원회를 열고 경기도 평택 반도체공장 제2의 생산라인 건설을 위한 예비 투자 안건을 의결했다.

평택 2공장은 내년 상반기 완공을 목표하고 있지만, 투자규모, 생산제품 등에 관한 것은 정확히 알려진 바 없다. 단, 올해도 시설투자 규모도 사상 최대였던 지난해와 비슷한 수준인 30조원을 유지할 것으로 예상된다.

공사와 관련해 삼성물산은 올해 초 삼성전자 부품(DS) 총괄로부터 공장 건설 수주를 받고 ‘P2-프로젝트’라는 이름으로 평택 1공장 인근에 2공장 땅 다지기에 들어간 것으로 알려졌다. 이달 중 평택시 승인을 거쳐 본격적인 외관 공사에 돌입할 예정이다.

삼성전자는 반도체 시황이 빠르게 변하는 상황에 맞춰 2010년부터 공장을 먼저 건설하는 방식의 투자 전략을 해왔다. 이번 평택 2공장 투자도 선제 대응 차원에서 진행되는 것으로 보인다.

이와 관련, 삼성전자 관계자는 “반도체 수요 적기 대응을 위한 기초 건물 투자로 생산제품, 투자규모, 가동시기 등은 고려 중이다”고 밝혔다.
앞서 삼성전자는 지난해 7월 완공된 평택 1공장의 초기 건설에는 15조 6000억원을 투입한 바 있다. 오는 2021년까지 삼성전자는 평택 1라인 증설에 추가 14조 4000억원, 화성 반도체 라인에 6조원 등 총 20조 4000억 원을 추가 투자하기로 결정했다.

진교영 삼성전자 DS부문 메모리사업부장(사장)은 8일 ‘반도체·디스플레이 산업 발전전략 발표 및 상생발전위원회 출범식’에서 “평택2공장 투자규모를 언제 확정하나”라는 질문에 “곧 결정될 것”이라고 답했다.



◇ 하이닉스, 올해 투자규모 또 늘려
올해 SK하이닉스는 반도체 설비 투자를 전년 대비 더욱 늘린다. 2016년 6조 2920억원에 이어 2017년 10조 3000억원의 투자를 이어온 SK하이닉스는 올해 규모를 더욱 확대한다는 방침이다.

SK하이닉스는 컨퍼런스콜에서 “올해 투자 규모는 작년보다 증가할 것으로 예상한다”고 밝혔다.

현재 SK하이닉스는 충북 청주시에 낸드플래시 메모리반도체 공장 M15를 짓고 있다. 당초 SK하이닉스는 M15 공장을 2019년 준공하고 내년 초 장비를 입고 할 계획이었지만, 완공시기를 올해 하반기로 앞당기겠다는 입장을 밝혔다.

SK하이닉스는 이 공장에 2조 2000억원의 예산을 이미 투입한 바 있으며 2025년까지 추가 설비에만 약 13조원을 투입한다. 또한 중국의 D램 생산 전초기지 역할을 할 우시공장 완공에도 박차를 가하고 있다. 9500억원을 추가로 투입해 중국 우시 D램 공장을 확장한다는 계획이다.

지난해 11월 SK하이닉스는 자회사 ‘SK하이닉스 시스템IC’를 통해 중국기업과 현지 합작회사를 설립하는 방안을 결정했다. SK하이닉스는 이사회를 열고 자회사인 SK하이닉스 시스템IC와 한 중국 업체와의 50대 50 지분 비율의 합작사 설립 건을 논의했다.

이를 통해 SK하이닉스는 중국 우시에 가동 중인 D램 공장에 파운드리 생산라인을 구축하게 된다. 만약 이 건이 성사되면 파운드리 자회사 설립에 이어 중국내 합작법인을 통해 시스템반도체 사업 역량을 한층 강화할 것으로 전망된다.

뿐만 아니라, SK하이닉스는 공장 증설에 따라 증가하는 후공정 물량 대응을 위해 723억원을 들여 2019년까지 중국 충칭 후공정 공장의 생산능력을 확충한다. 2014년 7월 양산을 시작한 충칭 낸드플래시 후공정 공장에 올해 상반기부터 증설 착공이 들어가게 되면 내년부터 생산량 추가 효과가 나타날 것으로 전망된다.

SK하이닉스는 “청주 M15 공장 건설과 중국 우시 공장 확장을 마무리하기 위한 건설, 인프라 투자가 집중되기에 올해 투자는 작년 투자 금액보다 증가할 것”이며 “중국 우시 팹은 예정대로 연말까지 완공할 계획”이라고 밝혔다.

연구개발비 역시 지난해 사상 처음으로 2조원을 넘기며 매출액 대비 12.2%에 달하는 2조 967억원을 집행하는 등 기술집약적인 산업인 메모리반도체 산업의 주도권을 지켜나가기 위해 전략적인 투자를 이어가고 있다.
아울러 SK하이닉스는 과감한 R&D 투자를 통해 기술력을 강화해 향후에도 글로벌 메모리 시장을 선도하는 업체로서의 위상을 더욱 높여나간다는 계획이다.



◇ 슈퍼사이클 이후 긴 안목 ‘속력행마’ 굳건

지난해 사상 최대의 슈퍼사이클를 겪었던 반도체 시장은 올해도 증가세를 유지할 것으로 보이지만 내년부터는 다소 감소 하락 추세를 보일 것이란 게 업계 중론이다.

주대영 산업연구원 연구위원은 “올해 반도체 사장을 이꾸는 주도 품목은 D램이 될 것이다”며 “이는 지난해부터 붐을 이루고 있는 데이터센터 구축에 핵심부품으로 등장하고 있기 때문이다”고 설명했다.
반도체 신규수요가 지난해에 이어 올해도 급증하고 있는 것도 올해 반도체 슈퍼사이클이 지속될 것이란 전망에 힘을 실어주고 있다.

데이터센터, 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 등의 급속한 구축확대에 따라 핵심부품인 반도체 수요는 지속적으로 증가하고 있다.

뿐만 아니라 스마트폰에 탑재되는 모바일 D램의 메모리용량이 증가하고 있고, 최신 스마트폰의 경우 D램이 4~6기가바이트(GB), 낸드가 256GB를 탑재하는 제품이 늘고 있는 추세다.

지난해 수요에 비해 이를 따라가지 못했던 D램 공급부족은 올해까지 지속될 전망이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 설비투자로 이를 확장하고 있는 것으로 알려졌지만, 공장 완공일이 올해 말 내년 초인 것을 감안하면 내년께 정상 수급이 가능할 것으로 보인다. 즉, 올해도 D램 업계가 생산능력을 크게 확대하지 못하면서 공급부족은 지속 될 것으로 전망된다.

더불어 D램 독과점적 공급구조에서 수요증가에 공급이 따라가지 못하면서 프리미엄 D램 중심으로 공급부족은 더욱 가중될 것으로 예상된다.
다만 낸드는 생산능력의 확충으로 공급이 수요를 조금 넘겨 경기 안정화 추세로 전개될 전망이다.

반도체 굴기를 내세우는 중국의 메모리 반도체 압박도 무시할 수 없는 변수지만 당장은 큰 영향을 미치지 않을 것이란 전망이 주류를 이룬다.
중국은 올해 하반기에 낸드 및 D램 양산을 준비하고 있으나, 품질이나 생산량 측면에서 미흡해 세계 메모리시장에까지 영향을 주지 않을 것으로 보인다.

하지만 2~3년 내 기술격차가 좁혀질 것이라는 전망도 만만치 않아, 선제적 대응이 필요하다는 주장도 제기된다.

주 연구위원은 “한국과 경쟁할 정도로 기술수준을 높이는데 시간이 걸리겠지만, 중국이 메모리시장에 진입했다는 자체만으로 우리에게는 큰 여파로 작용할 수 있다”고 말했다.

김승한 기자 shkim@fntimes.com